AS7C31026A-10TCN

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AS7C31026A-10TCN 技术参数

AS7C31025C-12TJINTR 功能描述:IC SRAM 128KX8 3.3V 32SOJ 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:1M（128K x 8）速度:12ns 接口:并联电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）供应商器件封装:32-SOJ 标准包装:1,000 AS7C31025C-12TINTR 功能描述:IC SRAM 128KX8 3.3V 32TSOP 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:1M（128K x 8）速度:12ns 接口:并联电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽）供应商器件封装:32-TSOP II 标准包装:1,000 AS7C31025C-12TIN 功能描述:IC SRAM 128KX8 3.3V 32TSOP 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:1M（128K x 8）速度:12ns 接口:并联电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽）供应商器件封装:32-TSOP II 标准包装:26 AS7C31025C-12JINTR 功能描述:静态随机存取存储器 1M, 3.3V, 12ns, FAST 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray AS7C31025C-12JIN 功能描述:静态随机存取存储器 1M, 3.3V, 12ns, FAST 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray AS7C31026B-12TCNTR AS7C31026B-15JCN AS7C31026B-15JCNTR AS7C31026B-15TCN AS7C31026B-15TCNTR AS7C31026B-20JCN AS7C31026B-20JCNTR AS7C31026B-20TCN AS7C31026B-20TCNTR AS7C31026C-10BIN AS7C31026C-10BINTR AS7C31026C-12BIN AS7C31026C-12BINTR AS7C31026C-12JIN AS7C31026C-12JINTR AS7C31026C-12TIN AS7C31026C-12TINTR AS7C316096A-10TIN