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AT-42086-TR1G.

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AT-42086-TR1G. 技术参数
  • AT-42086-TR1G 功能描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:9dB ~ 13dB 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 35mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-86 供应商器件封装:86 塑料 标准包装:1 AT-42086-BLKG 功能描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:9dB ~ 13dB 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 35mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-86 供应商器件封装:86 塑料 标准包装:100 AT-42085G 功能描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 45MD 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:9.5dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 35mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD(85 塑料) 供应商器件封装:85 塑料 标准包装:100 AT-42070 功能描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 70-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10.5dB ~ 14dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 35mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD(70 密耳) 供应商器件封装:70 密耳封装 标准包装:100 AT-42036-TR1G 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 600mW Surface Mount 36 micro-X 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 35mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD(36 micro-X) 供应商器件封装:36 micro-X 标准包装:1,000 AT-4228-TF-LW145 AT-4228-TF-LW145-R AT-4228-TWT-F-R AT422A AT422B AT422C AT422E AT422F AT422G AT-4230-TF-LW135-R AT423A AT423C AT424A AT426A AT426B AT426C AT426D AT426E
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