AT42085TR1

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AT42085TR1 技术参数

AT-42085G 功能描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 45MD 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:9.5dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD（85 塑料）供应商器件封装:85 塑料标准包装:100 AT-42070 功能描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 70-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10.5dB ~ 14dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD（70 密耳）供应商器件封装:70 密耳封装标准包装:100 AT-42036-TR1G 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 600mW Surface Mount 36 micro-X 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD（36 micro-X）供应商器件封装:36 micro-X 标准包装:1,000 AT-42036-BLKG 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 600mW Surface Mount 36 micro-X 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD（36 micro-X）供应商器件封装:36 micro-X 标准包装:100 AT-42035G 功能描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 35-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD（35 micro-X）供应商器件封装:35 micro-X 标准包装:100 AT421F AT421G AT-4228-TF-LW145 AT-4228-TF-LW145-R AT-4228-TWT-F-R AT422A AT422B AT422C AT422E AT422F AT422G AT-4230-TF-LW135-R AT423A AT423C AT424A AT426A AT426B AT426C