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AT64L7218SHC4M

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功能描述
512 MB DDR1 SINGLE RANK UNBUFFER
制造商
atp electronics, inc.
系列
-
零件状态
在售
存储器类型
DDR SDRAM
存储容量
512MB
封装/外壳
200-SODIMM
标准包装
200

AT64L7218SHC4M 技术参数

AT64L64K6SHC4M 功能描述:512 MB DDR1 DUAL RANK UNBUFFERRE 制造商:atp electronics, inc. 系列:- 零件状态:在售存储器类型:DDR SDRAM 存储容量:512MB 封装/外壳:200-SODIMM 标准包装:50 AT641TAT-8IN-TSCREEN AT-64023 功能描述:TRANS NPN BIPO 20V 200MA 230-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:3W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 110mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD（230 密耳 BeO）供应商器件封装:230 mil Be0 标准包装:10 AT-64020 功能描述:TRANS NPN BIPO 20V 200MA 200-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:3W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 110mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD（200 密耳 BeO）供应商器件封装:- 标准包装:100 AT-64000-GP4 功能描述:RF Transistor NPN 20V 200mA 3W Surface Mount 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:3W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 110mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:- 标准包装:25 AT-7.994MDGI-T AT-7.994MDII-T AT-7000-R AT-7000-T AT701 AT702 AT-7020 AT-7030 AT711 AT712 AT713 AT714 AT715 AT715-12 AT715-6 AT716 AT717 AT718