ATP218-TL-H

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

ATP218-TL-H
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6550
ON
ROHS
201311+
-
原装正品，现货库存！400-800-03...

ATP218-TL-H
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
39800
ON
TO-252
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

ATP218-TL-H
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
ON/安森美
TO-252
22+
-
十年配单，只做原装

ATP218-TL-H
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
ON Semiconductor
ATPAK
17+
-
全新原装现货

ATP218-TL-H
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
ON
TO-252
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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功能描述
MOSFET SWITCHING DEVICE
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

ATP218-TL-H 技术参数

ATP216-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 18A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2700pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000 ATP214-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.1 毫欧 @ 38A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4850pF @ 20V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000 ATP213-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3150pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP212-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1820pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP212-S-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000 ATP602-TL-H ATP613-TL-H ATPANCOORDINATOR-EK ATPH18500150SET ATPH18500200SET ATPH18650200SET ATPH18650250SET ATPH33MAHA ATPL00B-AZU-Y ATPL00BDK-99 ATPL00BSK-99 ATPL100A-AZU-Y ATPL100AEK ATPL100DK-99 ATPL100SK-99 ATPL10SFLT-99 ATPL210A-A1U-Y ATPL210DK-99