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ATSAMD10D14A-UUTBN

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  • ATSAMD10D14A-UUTBN
    ATSAMD10D14A-UUTBN

    ATSAMD10D14A-UUTBN

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • MICROCHIP/微芯

  • 20LWLCSP

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • ATSAMD10D14A-UUTBN
    ATSAMD10D14A-UUTBN

    ATSAMD10D14A-UUTBN

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • WLCSP

  • 17+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • ATSAMD10D14A-UUTBN
    ATSAMD10D14A-UUTBN

    ATSAMD10D14A-UUTBN

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • MICROCHIP/微芯

  • 20LWLCSP

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

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ATSAMD10D14A-UUTBN PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
ATSAMD10D14A-UUTBN 技术参数
  • ATSAMD10D14A-UUT 功能描述:ARM? Cortex?-M0+ SAM D10D Microcontroller IC 32-Bit 48MHz 16KB (16K x 8) FLASH 20-WLCSP (2.43x1.93) 制造商:atmel 系列:SAM D10D 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 核心处理器:ARM? Cortex?-M0+ 核心尺寸:32-位 速度:48MHz 连接性:I2C,LIN,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,DMA,POR,WDT I/O 数:18 程序存储容量:16KB(16K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:4K x 8 电压 - 电源(Vcc/Vdd):1.62 V ~ 3.63 V 数据转换器:A/D 8x12b,D/A 1x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-XFBGA,WLCSP 供应商器件封装:20-WLCSP(2.43x1.93) 标准包装:1 ATSAMD10D14A-SSUT 功能描述:ARM? Cortex?-M0+ SAM D10D Microcontroller IC 32-Bit 48MHz 16KB (16K x 8) FLASH 20-SOIC 制造商:atmel 系列:SAM D10D 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 核心处理器:ARM? Cortex?-M0+ 核心尺寸:32-位 速度:48MHz 连接性:I2C,LIN,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,DMA,POR,WDT I/O 数:18 程序存储容量:16KB(16K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:4K x 8 电压 - 电源(Vcc/Vdd):1.62 V ~ 3.63 V 数据转换器:A/D 8x12b,D/A 1x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:20-SOIC 标准包装:1 ATSAMD10D14A-SSNT 功能描述:IC MCU 32BIT 16KB FLASH 20SOIC 制造商:microchip technology 系列:SAM D10D 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 核心处理器:ARM? Cortex?-M0+ 核心尺寸:32-位 速度:48MHz 连接性:I2C,LIN,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,DMA,POR,WDT I/O 数:18 程序存储容量:16KB(16K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:4K x 8 电压 - 电源(Vcc/Vdd):1.62 V ~ 3.63 V 数据转换器:A/D 8x12b,D/A 1x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:20-SOIC 标准包装:1 ATSAMD10D14A-MUT 功能描述:IC MCU 32BIT 16KB FLASH 24QFN 制造商:microchip technology 系列:SAM D10D 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 核心处理器:ARM? Cortex?-M0+ 核心尺寸:32-位 速度:48MHz 连接性:I2C,LIN,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,DMA,POR,WDT I/O 数:22 程序存储容量:16KB(16K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:4K x 8 电压 - 电源(Vcc/Vdd):1.62 V ~ 3.63 V 数据转换器:A/D 10x12b,D/A 1x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:24-QFN(4x4) 标准包装:1 ATSAMD10D14A-MNT 功能描述:IC MCU 32BIT 16KB FLASH 24QFN 制造商:microchip technology 系列:SAM D10D 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 核心处理器:ARM? Cortex?-M0+ 核心尺寸:32-位 速度:48MHz 连接性:I2C,LIN,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,DMA,POR,WDT I/O 数:22 程序存储容量:16KB(16K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:4K x 8 电压 - 电源(Vcc/Vdd):1.62 V ~ 3.63 V 数据转换器:A/D 10x12b,D/A 1x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:24-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:24-QFN(4x4) 标准包装:1 ATSAMD20E14A-AN ATSAMD20E14A-ANT ATSAMD20E14A-AU ATSAMD20E14A-AUT ATSAMD20E14A-MN ATSAMD20E14A-MNT ATSAMD20E14A-MU ATSAMD20E14A-MUT ATSAMD20E14B-AU ATSAMD20E14B-AUT ATSAMD20E14B-MU ATSAMD20E14B-MUT ATSAMD20E15A-AN ATSAMD20E15A-ANT ATSAMD20E15A-AU ATSAMD20E15A-AUT ATSAMD20E15A-MN ATSAMD20E15A-MNT
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