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ATSAMDA1E16A-MBT, QFN

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ATSAMDA1E16A-MBT, QFN
东莞鼎岑科技有限公司
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联系人：莫
电话：18925581989
地址：广东省东莞市塘厦镇林村大道445号北钜业大夏319室
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ATSAMDA1E16A-MBT, QFN PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

ATSAMDA1E16A-MBT, QFN 技术参数

ATSAMDA1E15B-MBT 功能描述:IC MCU 32BIT 32KB FLASH 32QFN 制造商:microchip technology 系列:SAM DA1 包装:剪切带（CT）零件状态:在售核心处理器:ARM? Cortex?-M0+ 核心尺寸:32-位速度:48MHz 连接性:I2C，SCI，SPI，UART/USART，USB 外设:欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT I/O 数:26 程序存储容量:32KB（32K x 8）程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:4K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:2.7 V ~ 3.63 V 数据转换器:A/D 10x12b，D/A 1x10b 振荡器类型:内部工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:32-VQFN（5x5）标准包装:1 ATSAMDA1E15B-ABT 功能描述:32 TQFP 7X7X1.0MM 制造商:microchip technology 系列:SAM DA1 包装:剪切带（CT）零件状态:在售核心处理器:ARM? Cortex?-M0+ 核心尺寸:32-位速度:48MHz 连接性:I2C，SCI，SPI，UART/USART，USB 外设:欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT I/O 数:26 程序存储容量:32KB（32K x 8）程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:4K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:2.7 V ~ 3.63 V 数据转换器:A/D 10x12b，D/A 1x10b 振荡器类型:内部工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）封装/外壳:32-TQFP 供应商器件封装:32-TQFP（7x7）标准包装:1 ATSAMDA1E14B-MBT 功能描述:IC MCU 32BIT 16KB FLASH 32QFN 制造商:microchip technology 系列:SAM DA1 包装:剪切带（CT）零件状态:在售核心处理器:ARM? Cortex?-M0+ 核心尺寸:32-位速度:48MHz 连接性:I2C，SCI，SPI，UART/USART，USB 外设:欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT I/O 数:26 程序存储容量:16KB（16K x 8）程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:4K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:2.7 V ~ 3.63 V 数据转换器:A/D 10x12b，D/A 1x10b 振荡器类型:内部工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:32-VQFN（5x5）标准包装:1 ATSAMDA1E14B-ABT 功能描述:32 TQFP 7X7X1.0MM 制造商:microchip technology 系列:SAM DA1 包装:剪切带（CT）零件状态:在售核心处理器:ARM? Cortex?-M0+ 核心尺寸:32-位速度:48MHz 连接性:I2C，SCI，SPI，UART/USART，USB 外设:欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT I/O 数:26 程序存储容量:16KB（16K x 8）程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:4K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:2.7 V ~ 3.63 V 数据转换器:A/D 10x12b，D/A 1x10b 振荡器类型:内部工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）封装/外壳:32-TQFP 供应商器件封装:32-TQFP（7x7）标准包装:1 ATSAMD51P20A-AUT 功能描述:120MHZ 1024KB FLASH 128 TQFP PKG 制造商:microchip technology 系列:SAM D51 包装:剪切带（CT）零件状态:在售核心处理器:ARM? Cortex?-M4F 核心尺寸:32-位速度:120MHz 连接性:EBI/EMI，I2C，IrDA，LIN，MMC/SD，QSPI，SPI，UART/USART，USB 外设:断电检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM I/O 数:99 程序存储容量:1MB（1M x 8）程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:256K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.71 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 32x12b，D/A 2x12b 振荡器类型:内部工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:128-TQFP 供应商器件封装:128-TQFP（14x14）标准包装:1 ATSAMDA1J15B-ABT ATSAMDA1J16B-ABT ATSAMDA1-XPRO ATSAME51J18A-AU ATSAME51J18A-AUT ATSAME51J18A-MU ATSAME51J18A-MUT ATSAME51J19A-AU ATSAME51J19A-AUT ATSAME51J19A-MU ATSAME51J19A-MUT ATSAME51J20A-AU ATSAME51J20A-AUT ATSAME51J20A-MU ATSAME51J20A-MUT ATSAME51N19A-AU ATSAME51N19A-AUT ATSAME51N20A-AU