ATSAMV70N20B-AABTVAO

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

ATSAMV70N20B-AABTVAO
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
14
MICROCHIP
NA
23+
-
32位微控制器

ATSAMV70N20B-AABTVAO
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
LQFP
18+
-
瑞智芯只有原装

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： ATSAMV70N20B-CB ATSAMV70N20B-CBT ATSAMV70Q19B-AAB ATSAMV70Q19B-AABT ATSAMV70Q19B-CB ATSAMV70Q19B-CBT ATSAMV70Q20B-AAB ATSAMV70Q20B-AABT ATSAMV70Q20B-CB

ATSAMV70N20B-AABTVAO PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

ATSAMV70N20B-AABTVAO 技术参数

ATSAMV70N20B-AABT 功能描述:FLASH, 384KB SRAM 制造商:microchip technology 系列:汽车级，AEC-Q100，SAM V70 包装:剪切带（CT）零件状态:在售核心处理器:ARM? Cortex?-M7 核心尺寸:32-位速度:300MHz 连接性:CAN， I2C， IrDA， LIN， MMC/SD/SDIO， QSPI， SPI， SSC， UART/USART， USB 外设:欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT I/O 数:75 程序存储容量:1MB（1M x 8）程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:384K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b，D/A 2x12b 振荡器类型:内部工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-LQFP（14x14）标准包装:1 ATSAMV70N20B-AAB 功能描述:FLASH, 384KB SRAM 制造商:microchip technology 系列:汽车级，AEC-Q100，SAM V70 包装:托盘零件状态:在售核心处理器:ARM? Cortex?-M7 核心尺寸:32-位速度:300MHz 连接性:CAN， I2C， IrDA， LIN， MMC/SD/SDIO， QSPI， SPI， SSC， UART/USART， USB 外设:欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT I/O 数:75 程序存储容量:1MB（1M x 8）程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:384K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b，D/A 2x12b 振荡器类型:内部工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-LQFP（14x14）标准包装:90 ATSAMV70N19B-CBT 功能描述:FLASH RAM 制造商:microchip technology 系列:汽车级，AEC-Q100，SAM V71 包装:Digi-Reel? 零件状态:在售核心处理器:ARM? Cortex?-M7 核心尺寸:32-位速度:300MHz 连接性:CAN， I2C， IrDA， LIN， MMC/SD/SDIO， QSPI， SPI， SSC， UART/USART， USB 外设:欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT I/O 数:75 程序存储容量:512KB（512K x 8）程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:256K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b，D/A 2x12b 振荡器类型:内部工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）封装/外壳:100-TFBGA 供应商器件封装:100-TFBGA（9x9）标准包装:1 ATSAMV70N19B-CB 功能描述:FLASH SRAM 制造商:microchip technology 系列:汽车级，AEC-Q100，SAM V71 包装:托盘零件状态:在售核心处理器:ARM? Cortex?-M7 核心尺寸:32-位速度:300MHz 连接性:CAN， I2C， IrDA， LIN， MMC/SD/SDIO， QSPI， SPI， SSC， UART/USART， USB 外设:欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT I/O 数:75 程序存储容量:512KB（512K x 8）程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:256K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b，D/A 2x12b 振荡器类型:内部工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）封装/外壳:100-TFBGA 供应商器件封装:100-TFBGA（9x9）标准包装:260 ATSAMV70N19B-AABT 功能描述:FLASH, 256KB SRAM 制造商:microchip technology 系列:汽车级，AEC-Q100，SAM V70 包装:剪切带（CT）零件状态:在售核心处理器:ARM? Cortex?-M7 核心尺寸:32-位速度:300MHz 连接性:CAN， I2C， IrDA， LIN， MMC/SD/SDIO， QSPI， SPI， SSC， UART/USART， USB 外设:欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT I/O 数:75 程序存储容量:512KB（512K x 8）程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:256K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b，D/A 2x12b 振荡器类型:内部工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-LQFP（14x14）标准包装:1 ATSAMV70Q20B-CBT ATSAMV71N19B-AAB ATSAMV71N19B-AABT ATSAMV71N19B-CB ATSAMV71N19B-CBT ATSAMV71N20B-AAB ATSAMV71N20B-AABT ATSAMV71N20B-CB ATSAMV71N20B-CBT ATSAMV71N21B-AAB ATSAMV71N21B-AABT ATSAMV71N21B-CB ATSAMV71N21B-CBT ATSAMV71Q19B-AAB ATSAMV71Q19B-AABT ATSAMV71Q19B-CB ATSAMV71Q19B-CBT ATSAMV71Q20B-AAB