您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 >

AUIRF2805L

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • AUIRF2805L
    AUIRF2805L

    AUIRF2805L

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 3000

  • isc,iscsemi

  • I2PAK/TO-262

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
AUIRF2805L PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • IRF
  • 制造商全称
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • Advanced Planar Technology
AUIRF2805L 技术参数
  • AUIRF2805 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 104A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):230nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5110pF @ 25V 功率 - 最大值:330W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 AUIRF2804WL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):240A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):225nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7978pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 毫欧 @ 187A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-262-3 宽型 封装/外壳:TO-262-3 宽引线 标准包装:50 AUIRF2804STRL7P 功能描述:MOSFET N-CH 40V 320A D2PAK-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 毫欧 @ 160A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6930pF @ 25V 功率 - 最大值:330W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片),TO-263CB 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:800 AUIRF2804STRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):195A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):240nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6450pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRF2804S-7P 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 毫欧 @ 160A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6930pF @ 25V 功率 - 最大值:330W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片),TO-263CB 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:50 AUIRF3007 AUIRF3205 AUIRF3205Z AUIRF3205ZS AUIRF3205ZSTRL AUIRF3305 AUIRF3315S AUIRF3315STRL AUIRF3415 AUIRF3504 AUIRF3710Z AUIRF3710ZS AUIRF3710ZSTRL AUIRF3805 AUIRF3805L AUIRF3805L-7P AUIRF3805S AUIRF3805S-7P
配单专家

在采购AUIRF2805L进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买AUIRF2805L产品风险,建议您在购买AUIRF2805L相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的AUIRF2805L信息由会员自行提供,AUIRF2805L内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号