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AUIRF4905PBF.

配单专家企业名单
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  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • IR

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • AUIRF4905PBF.
    AUIRF4905PBF.

    AUIRF4905PBF.

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

    电话:400-666-5385

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 30000

  • IR

  • TO-220

  • 21+

  • -
  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
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AUIRF4905PBF. 技术参数
  • AUIRF4905L 功能描述:MOSFET P-CH 55V 74A TO-262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 42A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3500pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262 供应商器件封装:TO-262 标准包装:50 AUIRF4905 功能描述:MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):74A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 38A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3400pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 AUIRF4104S 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.5 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3000pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRF4104 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.5 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3000pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 AUIRF3808S 功能描述:MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):106A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 82A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5310pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRF6215STRL AUIRF6218S AUIRF6218STRL AUIRF7103Q AUIRF7103QTR AUIRF7207Q AUIRF7207QTR AUIRF7303Q AUIRF7303QTR AUIRF7304Q AUIRF7304QTR AUIRF7309Q AUIRF7309QTR AUIRF7313Q AUIRF7313QTR AUIRF7316Q AUIRF7316QTR AUIRF7319Q
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