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AUIRF7343QTRPBF.

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  • AUIRF7343QTRPBF.
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    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人:张育豪 13360528695

    电话:0755-23607487

    地址:深圳市福田区华富路1006号 航都大厦11楼一层

    资质:营业执照

  • 22135

  • IR

  • SOP-8

  • 22+

  • -
  • 原厂原装现货

  • AUIRF7343QTRPBF.
    AUIRF7343QTRPBF.

    AUIRF7343QTRPBF.

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

    电话:400-666-5385

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 30000

  • IR

  • SOP-8

  • 21+

  • -
  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税

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AUIRF7343QTRPBF. 技术参数
  • AUIRF7343QTR 功能描述:MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.7A,3.4A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 4.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):740pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AUIRF7343Q 功能描述:MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.7A,3.4A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 4.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):740pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:95 AUIRF7342QTR 功能描述:MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,HEXFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.4A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):105 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):690pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AUIRF7342Q 功能描述:MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.4A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):105 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):690pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:95 AUIRF7341QTR 功能描述:MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,HEXFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.1A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 5.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):44nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):780pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AUIRF7648M2TR AUIRF7665S2TR AUIRF7669L2TR AUIRF7675M2TR AUIRF7732S2TR AUIRF7734M2TR AUIRF7736M2TR AUIRF7737L2TR AUIRF7738L2TR AUIRF7739L2TR AUIRF7749L2TR AUIRF7759L2TR AUIRF7769L2TR AUIRF7799L2TR AUIRF7805Q AUIRF7805QTR AUIRF8736M2TR AUIRF8739L2TR
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