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AUIRF7805QTRPBF.

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 42275

  • IR

  • SOP8

  • 1301+

  • -
  • 全新原装现货

  • AUIRF7805QTRPBF.
    AUIRF7805QTRPBF.

    AUIRF7805QTRPBF.

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

    电话:400-666-5385

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 30000

  • IR

  • SOP-8

  • 21+

  • -
  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税

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AUIRF7805QTRPBF. 技术参数
  • AUIRF7805QTR 功能描述:MOSFET N CH 30V 13A 8-SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 7A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):31nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:4,000 AUIRF7805Q 功能描述:MOSFET N CH 30V 13A 8-SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 7A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):31nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:95 AUIRF7799L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):375A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):38 毫欧 @ 21A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):165nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6714pF @ 25V 功率 - 最大值:4.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DirectFET? 等距 L8 供应商器件封装:DIRECTFET L8 标准包装:4,000 AUIRF7769L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):375A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 74A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11560pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DirectFET? 等距 L8 供应商器件封装:DIRECTFET L8 标准包装:4,000 AUIRF7759L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 75V 160A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):375A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.3 毫欧 @ 96A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12222pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DirectFET? 等距 L8 供应商器件封装:DIRECTFET L8 标准包装:4,000 AUIRFB4610 AUIRFB8405 AUIRFB8407 AUIRFB8409 AUIRFBA1405 AUIRFL014N AUIRFL014NTR AUIRFL024N AUIRFL024NTR AUIRFN7107TR AUIRFN7110TR AUIRFN8401TR AUIRFN8403TR AUIRFN8405TR AUIRFN8458TR AUIRFN8459TR AUIRFP064N AUIRFP1405
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