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AUIRFI44N.

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  • AUIRFI44N.
    AUIRFI44N.

    AUIRFI44N.

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • IR

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • AUIRFI44N.
    AUIRFI44N.

    AUIRFI44N.

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

    电话:400-666-5385

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 30000

  • IR

  • TO-220

  • 21+

  • -
  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税

  • 1/1页 40条/页 共1条 
  • 1
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AUIRFI44N. 技术参数
  • AUIRFBA1405 功能描述:MOSFET N CH 55V 95A SUPER-220 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):95A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 101A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5480pF @ 25V 功率 - 最大值:330W 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-273AA 供应商器件封装:SUPER-220?(TO-273AA) 标准包装:50 AUIRFB4610 功能描述:MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):73A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14 毫欧 @ 44A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3550pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 AUIRFB4410 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 58A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5150pF @ 50V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 AUIRFB3806 功能描述:MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):43A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15.8 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1150pF @ 50V 功率 - 最大值:71W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 AUIRFB3207 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7600pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 AUIRFN8458TR AUIRFN8459TR AUIRFP064N AUIRFP1405 AUIRFP2602 AUIRFP2907 AUIRFP2907Z AUIRFP4004 AUIRFP4110 AUIRFP4310Z AUIRFP4409 AUIRFP4568 AUIRFP4568-E AUIRFR024N AUIRFR1018E AUIRFR120Z AUIRFR120ZTRL AUIRFR2307Z
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