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AUIRFN8405TR

配单专家企业名单
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  • AUIRFN8405TR
    AUIRFN8405TR

    AUIRFN8405TR

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Infineon Technologies

  • PQFN

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • AUIRFN8405TR
    AUIRFN8405TR

    AUIRFN8405TR

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 187

  • INFINEON

  • NA

  • 23+

  • -
  • 汽车MOSFET

  • AUIRFN8405TR
    AUIRFN8405TR

    AUIRFN8405TR

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PQFN(5x6)

  • 19+

  • -
  • 代理直销!进口原装正品!

  • AUIRFN8405TR
    AUIRFN8405TR

    AUIRFN8405TR

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • INFINEON/英飞凌

  • TDSON-8

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • AUIRFN8405TR
    AUIRFN8405TR

    AUIRFN8405TR

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • INFINEON/英飞凌

  • TDSON-8

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • AUIRFN8405TR
    AUIRFN8405TR

    AUIRFN8405TR

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 20000

  • 英飞凌

  • NA

  • 19

  • -
  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • AUIRFN8405TR
    AUIRFN8405TR

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
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    AUIRFN8405TR

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  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Infineon

  • 22+

  • -
  • 原装正品

  • AUIRFN8405TR
    AUIRFN8405TR

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  • 深圳市正永电子有限公司
    深圳市正永电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-23930354

    地址:中航路都会轩3607

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PQFN(5x6)

  • 19+

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  • AUIRFN8405TR
    AUIRFN8405TR

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  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人:胡庆伟

    电话:13138879988

    地址:深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 4000

  • INF

  • ORIGONAL

  • 16+

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V 187A AUTO
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • HEXFET?
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 40V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 95A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 2 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.9V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 117nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 5142pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 3.3W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
  • PQFN(5x6)
  • 标准包装
  • 4,000
AUIRFN8405TR 技术参数
  • AUIRFN8403TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):95A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.3 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):98nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3174pF @ 25V 功率 - 最大值:4.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-PQFN(5x6) 标准包装:1 AUIRFN8401TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 84A 8PQFN 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):84A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.6 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2170pF @ 25V 功率 - 最大值:4.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PQFN(5x6) 标准包装:4,000 AUIRFN7110TR 功能描述:MOSFET NCH 100V 58A PQFN 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):58A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 35A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3050pF @ 25V 功率 - 最大值:4.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-PQFN(5x6) 标准包装:4,000 AUIRFN7107TR 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Ta),75A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):77nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3001pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):4.4W(Ta),125W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 45A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PQFN(5x6) 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 AUIRFL024NTR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.8A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 2.8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):400pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:2,500 AUIRFP4310Z AUIRFP4409 AUIRFP4568 AUIRFP4568-E AUIRFR024N AUIRFR1018E AUIRFR120Z AUIRFR120ZTRL AUIRFR2307Z AUIRFR2405 AUIRFR2407 AUIRFR2607Z AUIRFR2607ZTRL AUIRFR2905Z AUIRFR2905ZTRL AUIRFR3504 AUIRFR3504TRL AUIRFR3504Z
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