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AUIRFR2307ZTRPBF

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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部

    联系人:江先生

    电话:0755-236033608325800283223169

    地址:深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813

    资质:营业执照

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  • IR

  • TO-252

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  • AUIRFR2307ZTRPBF
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  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3620

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  • TO-252

  • 1215+

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  • 全新原装现货

  • AUIRFR2307ZTRPBF
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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

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  • 原装正品 欢迎咨询

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

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AUIRFR2307ZTRPBF 技术参数
  • AUIRFR2307Z 功能描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 32A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2190pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 AUIRFR120ZTRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 5.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):310pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:3,000 AUIRFR120Z 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 5.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):310pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 AUIRFR1018E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 79A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):56A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.4 毫欧 @ 47A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):69nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2290pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 AUIRFR024N 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):370pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252AA 标准包装:75 AUIRFR3607 AUIRFR3710Z AUIRFR3806 AUIRFR3806TRL AUIRFR4104 AUIRFR4105 AUIRFR4105Z AUIRFR4105ZTRL AUIRFR4292 AUIRFR4292TRL AUIRFR4615 AUIRFR4615TRL AUIRFR4620 AUIRFR4620TRL AUIRFR48Z AUIRFR48ZTRL AUIRFR5305 AUIRFR5305TRL
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