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  • AUIRFS4310ZTRL
  • 10800
  • Infineon Technologies
  • 16+
  • D2PAK
1
AUIRFS4310ZTRL
参数信息:

功能描述:MOSFET 100V 127A 6mOhm Automotive MOSFET

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:650 V

闸/源击穿电压:25 V

漏极连续电流:130 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms

配置:Single

最大工作温度:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:Max247

封装:Tube

AUIRFS4310ZTRL技术参数

AUIRFS4310Z 功能描述:MOSFET N-CH 100V 127A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):170nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6860pF @ 50V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS4310TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):250nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7670pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRFS4310 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):250nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7670pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS4127TRL 功能描述:MOSFET NCH 200V 72A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):72A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 44A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5380pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:* 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK(TO-263AB) 标准包装:800 AUIRFS4127 功能描述:MOSFET NCH 200V 72A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):72A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 44A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5380pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:* 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK(TO-263AB) 标准包装:50 AUIRFS8407-7P AUIRFS8407-7TRL AUIRFS8407TRL AUIRFS8408 AUIRFS8408-7P AUIRFS8408-7TRL AUIRFS8409 AUIRFS8409-7P AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409TRL AUIRFSA8409-7P AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSL4115 AUIRFSL4310 AUIRFSL6535 AUIRFSL8403 AUIRFSL8405 AUIRFSL8407

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