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AUIRFSL4115

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  • 型号
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AUIRFSL4115 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 150V 99A TO262
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • HEXFET?
  • 包装
  • 管件
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 150V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 99A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 12.1 毫欧 @ 62A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 120nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 5270pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
  • 375W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
  • 供应商器件封装
  • TO-262
  • 标准包装
  • 50
AUIRFSL4115 技术参数
  • AUIRFSA8409-7TRL 功能描述:MOSFET NCH 40V 523A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):523A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):0.69 毫欧 @ 100A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):460nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13975pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:800 AUIRFSA8409-7P 功能描述:MOSFET NCH 40V 523A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):523A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):0.69 毫欧 @ 100A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):460nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13975pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:50 AUIRFS8409-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):0.75 毫欧 @ 100A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):460nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13975pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):375W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:800 AUIRFS8407-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.3 毫欧 @ 100A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7437pF @ 25V 功率 - 最大值:231W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:800 AUIRFS8407-7P 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.3 毫欧 @ 100A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7437pF @ 25V 功率 - 最大值:231W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:D2PAK-7 标准包装:50 AUIRFU4292 AUIRFU540Z AUIRFU8401 AUIRFU8403 AUIRFU8405 AUIRFZ24NS AUIRFZ24NSTRL AUIRFZ24NSTRR AUIRFZ34N AUIRFZ44N AUIRFZ44NS AUIRFZ44VZS AUIRFZ44VZSTRL AUIRFZ44Z AUIRFZ44ZS AUIRFZ44ZSTRL AUIRFZ46NL AUIRFZ48N
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