AUIRLS8409-7P

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AUIRLS8409-7P
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

AUIRLS8409-7P
广东济德精密电子有限公司
广东济德精密电子有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼
100
INFINEON
NA
23+
-
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AUIRLS8409-7P
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
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功能描述
MOSFET NCH 40V 240A D2PAK
制造商
infineon technologies
系列
汽车级，AEC-Q101，HEXFET?
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
240A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
0.75 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
266nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
16488pF @ 25V
功率 - 最大值
375W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）
供应商器件封装
D2PAK（7-Lead）
标准包装
50

AUIRLS8409-7P 技术参数

AUIRLS4030TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.3 毫欧 @ 110A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11360pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRLS4030-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.9 毫欧 @ 110A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11490pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:800 AUIRLS4030-7P 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.9 毫欧 @ 110A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11490pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:50 AUIRLS4030 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.3 毫欧 @ 110A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11360pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRLS3114Z 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:56A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.9 毫欧 @ 56A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:53nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3617pF @ 25V 功率 - 最大值:143W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-PAK（TO-252AA）标准包装:50 AUIRLZ44ZL AUIRLZ44ZS AUIRLZ44ZSTRL AUIRS1170STR AUIRS2003S AUIRS2004S AUIRS2012STR AUIRS20161S AUIRS20162STR AUIRS20302S AUIRS20302STR AUIRS2092S AUIRS2092STR AUIRS2110S AUIRS2112S AUIRS2113S AUIRS2113STR AUIRS2117S