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AUIRS20161STR

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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  • 深圳廊盛科技有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 深圳市芯驰科技有限公司
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    联系人:丁皓鹏

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  • 功能描述
  • 功率驱动器IC 150V High Side DRVR 4.4V to 20V .25A
  • RoHS
  • 制造商
  • Micrel
  • 产品
  • MOSFET Gate Drivers
  • 类型
  • Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
  • 上升时间
  • 下降时间
  • 电源电压-最大
  • 30 V
  • 电源电压-最小
  • 2.75 V
  • 电源电流
  • 最大功率耗散
  • 最大工作温度
  • + 85 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • SOIC-8
  • 封装
  • Tube
AUIRS20161STR 技术参数
  • AUIRS20161S 功能描述:功率驱动器IC 150V High Side DRVR 4.4V to 20V .25A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube AUIRS2012STR 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q100 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 驱动配置:半桥 通道类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL,VIH:0.7V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):200V 上升/下降时间(典型值):22ns,15ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AUIRS2004S 功能描述:功率驱动器IC AUTO H-BRIDGE 200V 10-20V 520ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube AUIRS2003S 功能描述:功率驱动器IC AUTO H-BRIDGE 200V 10-20V 520ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube AUIRS1170STR 功能描述:IC GATE DRIVER 200V 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 应用:次级侧控制器 电压 - 输入:200V 电压 - 电源:11 V ~ 18 V 电流 - 电源:45mA 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 标准包装:2,500 AUIRS2117S AUIRS2117STR AUIRS2118S AUIRS2118STR AUIRS2123S AUIRS2123STR AUIRS2124S AUIRS2124STR AUIRS21271S AUIRS21271STR AUIRS2127S AUIRS2127STR AUIRS21281S AUIRS2128S AUIRS21811S AUIRS21811STR AUIRS21814S AUIRS21814STR
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