AUIRS2016STRPBF

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AUIRS2016STRPBF
深圳廊盛科技有限公司
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电话：18229386512
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AUIRS2016STRPBF 技术参数

AUIRS20162STR 功能描述:IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:带卷（TR）零件状态:有效驱动配置:高压侧通道类型:单路驱动器数:1 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.4 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA，250mA 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:150V 上升/下降时间（典型值）:200ns，200ns 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:2,500 AUIRS20161S 功能描述:功率驱动器IC 150V High Side DRVR 4.4V to 20V .25A RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube AUIRS2012STR 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.7V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:22ns，15ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AUIRS2004S 功能描述:功率驱动器IC AUTO H-BRIDGE 200V 10-20V 520ns RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube AUIRS2003S 功能描述:功率驱动器IC AUTO H-BRIDGE 200V 10-20V 520ns RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube AUIRS2117STR AUIRS2118S AUIRS2118STR AUIRS2123S AUIRS2123STR AUIRS2124S AUIRS2124STR AUIRS21271S AUIRS21271STR AUIRS2127S AUIRS2127STR AUIRS21281S AUIRS2128S AUIRS21811S AUIRS21811STR AUIRS21814S AUIRS21814STR AUIRS2181S