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AO4716

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  • 制造商
  • AOSMD
  • 制造商全称
  • Alpha & Omega Semiconductors
  • 功能描述
  • N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4716 技术参数
  • AO4714 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4512pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4712 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 11.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1885pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4710L_101 功能描述:MOSFET P-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):43nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2376pF @ 15V FET 功能:肖特基二极管(体) 功率耗散(最大值):3.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11.8 毫欧 @ 12.7A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 标准包装:3,000 AO4710 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11.8 毫欧 @ 12.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2376pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4708 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.7 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3360pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4772 AO4800B AO4800L AO4801A AO4801AL AO4801AL_001 AO4801AS AO4801HL AO4801L AO4803A AO4803AL AO4803L AO4805 AO4805L_101 AO4806 AO4806L AO4807 AO4807_101
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