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AO4828

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 说明
  • 操作
AO4828 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET DUAL N-CH 60V 4.5A 8-SOIC
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 阵列
  • 系列
  • -
  • 产品目录绘图
  • 8-SOIC Mosfet Package
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • -
  • FET 型
  • 2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 75 毫欧 @ 4.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • -
  • 功率 - 最大
  • 1.4W
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装
  • PowerPAK? SO-8
  • 包装
  • Digi-Reel®
  • 产品目录页面
  • 1664 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名称
  • SI7948DP-T1-GE3DKR
AO4828 技术参数
  • AO4826 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 6.3A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 6.3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2300pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4822L_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4822AL_102 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4822AL 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4822A 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4850 AO4850L AO4852 AO4852L AO4854 AO4854L_102 AO4862 AO4862E AO4882 AO4884 AO4884L_001 AO4886 AO4892 AO4914_101 AO4914L AO4924 AO4924L AO4932
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