您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 > A字母第2464页 >

AOD456

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
AOD456 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 25V 50A TO252
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
AOD456 技术参数
  • AOD454A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 20A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD452AL_008 功能描述:MOSFET N-CH 25V 55A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1450pF @ 12.5V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 AOD452 功能描述:MOSFET N-CH 25V 55A TO-252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1476pF @ 12.5V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD4504 功能描述:MOSFET N-CH 200V 6A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.5A(Ta),6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):115nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):328pF @ 100V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD450 功能描述:MOSFET N-CH 200V 3.8A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):700 毫欧 @ 3.8A,15V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.82nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):215pF @ 25V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD476 AOD478 AOD480 AOD482 AOD484 AOD486A AOD492 AOD496 AOD496A AOD498 AOD4C60 AOD4N60 AOD4N60_001 AOD4S60 AOD4T60 AOD4T60P AOD4TL60 AOD502
配单专家

在采购AOD456进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买AOD456产品风险,建议您在购买AOD456相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的AOD456信息由会员自行提供,AOD456内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号