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AON2401

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  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 8V 8A 6-Pin DFN EP T/R
  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • MOSFET P CH 8V 8A DFN 2X2B
AON2401 技术参数
  • AON2400 功能描述:MOSFET N CH 8V 8A DFN 2X2B 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.2V 驱动 漏源极电压(Vdss):8V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 8A,2.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):460mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1645pF @ 4V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x2) 标准包装:1 AON2392 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 8A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):840pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):4.1W (Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):32 毫欧 @ 8A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(2x2) 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 标准包装:3,000 AON2290 功能描述:MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):72 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):415pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x2) 标准包装:1 AON2260 功能描述:MOSFET N CH 60V 6A DFN 2x2B 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):44 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):426pF @ 30V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x2) 标准包装:1 AON2240 功能描述:MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):415pF @ 20V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x2) 标准包装:1 AON2701 AON2701_001 AON2701L#A AON2705 AON2705_001 AON2707 AON2800 AON2801 AON2801L AON2801L#A AON2802 AON2803 AON2809 AON2810 AON2812 AON2880 AON3402 AON3414
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