参数资料
型号: IDT70V657S12BF8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 3/24页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208FBGA
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 1.125M(32K x 36)
速度: 12ns
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 208-LFBGA
供应商设备封装: 208-CABGA(15x15)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 70V657S12BF8
IDT70V659/58/57S
High-Speed 3.3V 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Pin Configurations (3,4,5,6,7,8)
03/19/04
Industrial and Commercial Temperature Ranges
I/O 19L
I/O 19R
I/O 20L
I/O 20R
V DDQL
V SS
I/O 21L
I/O 21R
1
2
3
4
5
6
7
8
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155
154
153
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151
150
149
I/O 16L
I/O 16R
I/O 15L
I/O 15R
V SS
V DDQL
I/O 14L
I/O 14R
I/O 22L
I/O 22R
V DDQR
V SS
I/O 23L
I/O 23R
I/O 24L
I/O 24R
V DDQL
V SS
I/O 25L
I/O 25R
I/O 26L
I/O 26R
V DDQR
V SS
V DD
V DD
V SS
V SS
V DDQL
V SS
I/O 27R
I/O 27L
I/O 28R
I/O 28L
V DDQR
V SS
I/O 29R
I/O 29L
I/O 30R
I/O 30L
V DDQL
V SS
I/O 31R
I/O 31L
I/O 32R
I/O 32L
V DDQR
V SS
I/O 33R
I/O 33L
I/O 34R
I/O 34L
9
10
11
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13
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16
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49
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51
52
70V659/58/57DR
DR-208 (7)
208-Pin PQFP
Top View (8)
148
147
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145
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135
134
133
132
131
130
129
128
127
126
125
124
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122
121
120
119
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116
115
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113
112
111
110
109
108
107
106
105
I/O 13L
I/O 13R
V SS
V DDQR
I/O 12L
I/O 12R
I/O 11L
I/O 11R
V SS
V DDQL
I/O 10L
I/O 10R
I/O 9L
I/O 9R
V SS
V DDQR
V DD
V DD
V SS
V SS
V SS
V DDQL
I/O 8R
I/O 8L
I/O 7R
I/O 7L
V SS
V DDQR
I/O 6R
I/O 6L
I/O 5R
I/O 5L
V SS
V DDQL
I/O 4R
I/O 4L
I/O 3R
I/O 3L
V SS
V DDQR
I/O 2R
I/O 2L
I/O 1R
I/O 1L
4869 drw 02a
NOTES:
1. Pin is a NC for IDT70V658 and IDT70V657.
2. Pin is a NC for IDT70V657.
3. All V DD pins must be connected to 3.3V power supply.
4. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V DD (3.3V) and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V SS (0V).
5. All V SS pins must be connected to ground.
6. Package body is approximately 28mm x 28mm x 3.5mm.
7. This package code is used to reference the package diagram.
8. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
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