参数资料
| 型号： | MC10EP05DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE AND/NAND ECL 2INP 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | 10EP |
| 逻辑类型： | 与/与非门 |
| 电路数： | 1 |
| 输入数： | 2 输入（1，1） |
| 施密特触发器输入： | 无 |
| 输出类型： | 差分 |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MC10EP05, MC100EP05
http://onsemi.com
7
Figure 2. Fmax/Jitter @ 255C
FREQUENCY (GHz)
1
2
3
4
5
6
7
8
(JITTER)
9
3.3 V
V
OUT
amplitude
(mVpp)
JITTER
OUT
ps
(RMS)
10
850
750
650
550
450
350
250
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
5 V
Figure 3. Typical Termination for Output Driver and Device Evaluation
(See Application Note AND8020/D Termination of ECL Logic Devices.)
Driver
Device
Receiver
Device
QD
Q
D
Zo = 50 W
50 W
VTT
VTT = VCC 2.0 V
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PDF描述 |
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