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参数资料
| 型号： | IDT71342LA35PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 32KBIT 35NS 64TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 32K (4K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71342LA35PF8 |
IDT71342SA/LA
High-Speed 4K x 8 Dual-Port Static RAM with Semaphore
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read Cycle No. 1, Either Side (1,2,4)
t RC
ADDRESS
t OH
t AA
or t SAA
t OH
DATA OUT
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
2721 drw 07
Timing Waveform of Read Cycle No. 2, Either Side (1,3)
t SOP
t ACE
CE or SEM
(5)
t SOP
t AOE (4)
t HZ
(2)
OE
DATA OUT
t LZ
(1)
VALID DATA
(4)
t HZ
(2)
I CC
t PU
t LZ
(1)
t PD
CURRENT
I SB
50%
50%
2721 drw 08
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE or CE .
2. Timing depends on which signal is de-asserted first, OE or CE .
3. R/ W = V IH and OE = V IL , unless otherwise noted.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last; t AOE , t ACE , or t AA
5. To access SRAM, CE = V IL and SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL . t AA is for SRAM Address Access and t SAA is for Semaphore Address Access.
Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read (2,3)
t WC
ADDR "A"
R/ W "A"
(1)
MATCH
t WP
t DW
t DH
DATA IN "A"
ADDR "B"
VALID
MATCH
t WDD
DATA OUT "B"
NOTES:
1. Write cycle parameters should be adhered to, in order to ensure proper writing.
2. CE L = CE R = V IL. CE "B" = V IL.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
7
6.42
t DDD
VALID
2721 drw 09
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PDF描述 |
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参数描述 |
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