参数资料
型号: GPP10G-E3/73
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 64K
描述: DIODE 1A 400V STD SMC
标准包装: 3,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 400V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.1V @ 1A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 400V
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商设备封装: DO-204AL(DO-41)
包装: 带盒(TB)
\? GPP10A, GPP10B, GPP10D, GPP10G, GPP10J, GPP10K, GPP10M7 Www'ViShay'C°m Vishay General Semiconductor
ELEcTRIcAL cHARAcTERIsTIcs (TA = 25 0C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS GPP1oB
Maximuminstantaneousforward voltage
M axi m u m DC
reverse Cu rrent
at rated DCblocking voltage
T 100
Maximumjunction 4_0 Y 1 MHZ
capacitance
0C unless otherwise noted)
PARAMETER GPP1oB
Typical thermal resistance
Notell) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5 mm) lead length, PCB mounted
ORDER Re INFDRMAT on (Example)
PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (9) PREFERRED PACKAGE CODE DELIVERY MODE
GPP10‘J-E3/54
GPP10\J-E3/73
mu
3
DJ
Average Forward Current (A)
instantaneous Fomard Current (A)
0 25 so 75 100 I25 150 I75 b.4 0.6 as 1.0 )2 1.4 1.6 1.5 2.0
Ambient Temperature (“C) instantaneous Forward Voltage (V)Fig. 1 - Forward Current Derating Curve Fig. 2 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Revision: 13-Aug-13 2 Document Number: 88641
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