IRFH7936TRPBF_Infineon Technologies

批发数量 4000+ 8000+ 12000+
梯度价格 ¥2.6639 ¥2.5307 ¥2.4356
型号
IRFH7936TRPBF
数量
4000
厂商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
系列
HEXFET®
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
20A(Ta),54A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4.8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
26nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2360pF @ 15V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PQFN(5x6)
标准包装
4,000
其它名称
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