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IRFH8201TRPBF_Infineon Technologies

批发数量 1+ 10+ 100+
梯度价格 ¥12.1940 ¥10.9746 ¥8.8192
型号
IRFH8201TRPBF
数量
3100
厂商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
系列
HEXFET®，StrongIRFET™
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
49A（Ta），100A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
0.95 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.35V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
111nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
7330pF @ 13V
功率 - 最大值
3.6W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
标准包装
1
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