型号: | APT50GN60SDQ3 |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
封装: | D3PAK-3 |
文件页数: | 3/9页 |
文件大小: | 241K |
代理商: | APT50GN60SDQ3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT50GN60BDQ3 | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
APT50GP60B2DQ2G | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APT50GP60B2DQ2 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APT50GP60B2DQ2G | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT50GN60SG | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
APT50GP60B | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
APT50GP60B2DF2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
APT50GP60B2DQ2 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
APT50GP60B2DQ2G | 功能描述:IGBT 600V 150A 625W TMAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |