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参数资料
| 型号： | APTGF50A60T1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 312K |
| 代理商： | APTGF50A60T1G |
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Transfer Characteristics
Fig 12. Gate Charge Waveform
4/4
AP85T08GS/P
Q
VG
4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
100
1000
10000
1
5
9
1317
2125
29
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
jc
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A
)
T c =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
DC
0
40
80
120
02
46
8
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T j =150
o C
T j =25
o C
V DS =5V
0
2
4
6
8
10
12
0
2040
6080
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
V DS = 40V
V DS =50 V
V DS =64 V
I D =45 A
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PDF描述 |
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