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参数资料
| 型号： | APTGF50DH60T1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | APTGF50DH60T1G |
APTGF50DH60T1G
APT
G
F50DH60T1G
–
Rev
0
April,
2009
www.microsemi.com
7 – 7
Typical diode Performance Curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
er
m
a
lI
m
pe
da
nce
(°
C
/W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
120
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VF, Anode to Cathode Voltage (V)
I F
,Fo
rw
ar
d
Cur
re
nt
(A)
Forward Current vs Forward Voltage
IRRM vs. Current Rate of Charge
15 A
30 A
60 A
0
5
10
15
20
25
30
0
200
400
600
800 1000 1200
-diF/dt (A/s)
I RR
M
,Re
ver
se
R
e
co
ver
y
Cu
rr
en
t
(A)
TJ=125°C
VR=400V
Trr vs. Current Rate of Charge
15 A
30 A
60 A
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800 1000 1200
-diF/dt (A/s)
t rr
,Rev
e
rse
R
e
co
ver
y
T
im
e
(n
s)
TJ=125°C
VR=400V
QRR vs. Current Rate Charge
15 A
30 A
60 A
0.0
0.5
1.0
1.5
0
200
400
600
800
1000 1200
-diF/dt (A/s)
Q
RR
,Rever
se
Reco
ver
y
Char
g
e
(
C)
TJ=125°C
VR=400V
Capacitance vs. Reverse Voltage
0
25
50
75
100
125
150
175
200
1
10
100
1000
VR, Reverse Voltage (V)
C
,C
a
pa
cit
a
nc
e
(
pF)
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
175
Case Temperature (°C)
I F
(AV
)(A)
Max. Average Forward Current vs. Case Temp.
Duty Cycle = 0.5
TJ=175°C
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APTGF50DH60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DSK120T3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3 |
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| APTGF50DSK60T3G | 功能描述:IGBT MODULE NPT BUCK CHOP SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DU120T | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module |
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