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参数资料
| 型号： | AT49SV322A |
| 厂商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | 32-megabit (2M x 16/4M x 8) 1.8-volt Only Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（2米x 16/4M × 8）1.8伏，只有闪存 |
| 文件页数： | 23/31页 |
| 文件大小： | 224K |
| 代理商： | AT49SV322A |
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23
AT49SV322A(T)
3360C–FLASH–3/04
Program Cycle Waveforms
Sector or Chip Erase Cycle Waveforms
Notes:
1. OE must be high only when WE and CE are both low.
2. For chip erase, the address should be 555. For sector erase, the address depends on what sector is to be erased.
(See note 3 under “Command Definitions in Hex” on page 12.)
3. For chip erase, the data should be 10H, and for sector erase, the data should be 30H.
Program Cycle Characteristics
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
t
BP
Byte/Word Programming Time
12
200
μs
t
BPD
Byte/Word Programming Time in Dual Programming Mode
6
100
μs
t
AS
Address Setup Time
0
ns
t
AH
Address Hold Time
35
ns
t
DS
Data Setup Time
35
ns
t
DH
Data Hold Time
0
ns
t
WP
Write Pulse Width
35
ns
t
WPH
Write Pulse Width High
35
ns
t
WC
Write Cycle Time
70
ns
t
RP
Reset Pulse Width
500
ns
t
EC
Chip Erase Cycle Time
50
seconds
t
SEC1
Sector Erase Cycle Time (4K Word Sectors)
0.3
3.0
seconds
t
SEC2
Sector Erase Cycle Time (32K Word Sectors)
1.0
5.0
seconds
t
ES
Erase Suspend Time
15
μs
t
PS
Program Suspend Time
10
μs
OE
PROGRAM CYCLE
IDATA
ADDRESS
A0
55
555
555
AA
AAA
t
BP
t
WPH
t
WP
CE
WE
A0 - A20
DATA
t
AS
t
AH
t
DH
t
DS
555
AA
t
WC
OE
(1)
AA
80
Note 3
55
55
555
555
Note 2
AA
WORD 0
WORD 1
WORD 2
WORD 3
WORD 4
WORD 5
AAA
AAA
t
WPH
t
WP
CE
WE
A0-A20
DATA
t
AS
t
AH
t
EC
t
DH
t
DS
555
t
WC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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