型号: | ATF-521P8-TR1 |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
封装: | 2 x 2 MM, 0.75 MM HEIGHT,LEAD FREE, PLASTIC,LPCC-8 |
文件页数: | 1/23页 |
文件大小: | 319K |
代理商: | ATF-521P8-TR1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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ATF-521P8-BLK | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
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ATF-531P8-TR1G | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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ATF-521P8-TR2 | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
ATF524S16M | 制造商:n/a 功能描述:Inverter Semiconductor |
ATF-53189 | 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in SOT 89 Package |
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ATF-53189-TR1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |