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B1150

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  • B1150A
    B1150A

    B1150A

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:中国上海

  • 5000

  • 江苏辰达行/MDD

  • NA

  • 23+

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  • B1150WG-S
    B1150WG-S

    B1150WG-S

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 131600

  • CITC/竹懋

  • SOD-123S

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • B1150A
    B1150A

    B1150A

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪先生

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 1983

  • MDD

  • NA

  • 23+

  • -
  • 肖特基二极管

  • B1150W-F
    B1150W-F

    B1150W-F

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • CITC

  • SOD123

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • B1150W-F
    B1150W-F

    B1150W-F

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • CITC

  • SOD-123F

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  • B1150WG-S
    B1150WG-S

    B1150WG-S

  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

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    电话:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

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  • 原厂原装现货,代找紧缺料

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  • 制造商
  • 未知厂家
  • 制造商全称
  • 未知厂家
  • 功能描述
  • 4.0A Low Dropout Voltage Regulator Adjustable & Fix Output
B1150 技术参数
  • B1135AS-6R8N=P3 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 4A 29 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:6.8μH 容差:±30% 额定电流:4A 电流 - 饱和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):29 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.331" 长 x 0.327" 宽(8.40mm x 8.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.197"(5.00mm) 标准包装:1 B1135AS-680M=P3 功能描述:68μH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 235 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:68μH 容差:±20% 额定电流:1.3A 电流 - 饱和值:970mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):235 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.331" 长 x 0.327" 宽(8.40mm x 8.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.197"(5.00mm) 标准包装:1 B1135AS-4R7N=P3 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 5.1A 21 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:4.7μH 容差:±30% 额定电流:5.1A 电流 - 饱和值:3.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):21 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.331" 长 x 0.327" 宽(8.40mm x 8.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.197"(5.00mm) 标准包装:1 B1135AS-470M=P3 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 1.6A 150 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:47μH 容差:±20% 额定电流:1.6A 电流 - 饱和值:1.2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):150 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.331" 长 x 0.327" 宽(8.40mm x 8.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.197"(5.00mm) 标准包装:1 B1135AS-3R6N=P3 功能描述:3.6μH Shielded Wirewound Inductor 5.5A 17 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:3.6μH 容差:±30% 额定电流:5.5A 电流 - 饱和值:4.2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):17 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.331" 长 x 0.327" 宽(8.40mm x 8.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.197"(5.00mm) 标准包装:1 B1161UA4LTP B1161UA4RP B1161UA4TP B1161UALRP B1161UALTP B1161UARP B1161UATP B1161UC4LRP B1161UC4LTP B1161UC4RP B1161UC4TP B1161UCLRP B1161UCLTP B1161UCRP B1161UCTP B1179BS-100M=P3 B1179BS-101M=P3 B1179BS-150M=P3
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