B65811-J-R35

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B65811-J-R35
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
200
EPCOS
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B65811-J-R35 技术参数

B65811JR35 功能描述:FERRITE CORE 制造商:epcos (tdk) 系列:- 零件状态:有效标准包装:200 B65811JR30 功能描述:FERRITE CORE RM 5.7UH N30 制造商:epcos (tdk) 系列:B65811 零件状态:有效内核类型:RM 电感因数（Al）:5.7μH 容差:-20%，+30% 间隙:无缺口有效磁导率 (μe):2690 初始磁导率（μi）:4300 材料:N30 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.59 有效长度（e） mm:38 有效面积（Ae）mm2:64 最小磁心横截面（Amin）?mm2:55 有效磁体体积（Ve） mm3:2430 表面:无涂层供应商器件封装:RM 8 高度:8.25mm 长度:23.20mm 宽度:11.00mm 直径:- 标准包装:200 B65811J630J87 功能描述:FERRITE CORE 制造商:epcos (tdk) 系列:- 零件状态:有效标准包装:200 B65811J630J48 功能描述:FERRITE CORE RM 630NH N48 制造商:epcos (tdk) 系列:B65811 零件状态:有效内核类型:RM 电感因数（Al）:630nH 容差:±5% 间隙:有缺口有效磁导率 (μe):338 初始磁导率（μi）:- 材料:N48 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.59 有效长度（e） mm:38 有效面积（Ae）mm2:64 最小磁心横截面（Amin）?mm2:55 有效磁体体积（Ve） mm3:2430 表面:无涂层供应商器件封装:RM 8 高度:8.25mm 长度:23.20mm 宽度:11.00mm 直径:- 标准包装:200 B65811J630J41 功能描述:FERRITE CORE RM 630NH N41 制造商:epcos (tdk) 系列:B65811 零件状态:有效内核类型:RM 电感因数（Al）:630nH 容差:±5% 间隙:有缺口有效磁导率 (μe):298 初始磁导率（μi）:2800 材料:N41 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.59 有效长度（e） mm:38 有效面积（Ae）mm2:64 最小磁心横截面（Amin）?mm2:55 有效磁体体积（Ve） mm3:2430 表面:无涂层供应商器件封装:RM 8 高度:8.25mm 长度:23.20mm 宽度:11.00mm 直径:- 标准包装:200 B65811P0000R092 B65811P0160A049 B65811P160A49 B65811PR49 B65811PR87 B65811PR92 B65812A2203X B65812A5000X B65812A5000X000 B65812B3003X22 B65812C1512T1 B65812C2005X B65812N1005D002 B65812N1005D1 B65812N1005D2 B65812N1008D002 B65812N1008D1 B65812N1012D002