B65811P0180A097

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功能描述
EMI/RFI 抑制器及铁氧体 RM8 N97
RoHS
否
制造商
Fair-Rite
产品
Ferrite Cores
阻抗
365 Ohms
容差
最大直流电流
最大直流电阻
工作温度范围
- 55 C to + 125 C
封装 / 箱体
端接类型
SMD/SMT

B65811P0180A097 技术参数

B65811P0160A049 功能描述:FERRITE CORE 制造商:epcos (tdk) 系列:- 零件状态:在售内核类型:RM 容差:- 间隙:无缺口材料:- 表面:无涂层供应商器件封装:- 高度:- 长度:- 宽度:- 直径:- 标准包装:200 B65811P0000R092 功能描述:FERRITE CORE RM 3.1UH N92 2PCS 制造商:epcos (tdk) 系列:B65811P 零件状态:在售内核类型:RM 电感因数（Al）:3.1μH 容差:-20%，+30% 间隙:无缺口有效磁导率 (μe):1090 初始磁导率（μi）:1500 材料:N92 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.44 有效长度（e） mm:28.7 有效面积（Ae）mm2:64.9 最小磁心横截面（Amin）?mm2:55.4 有效磁体体积（Ve） mm3:1860 表面:无涂层供应商器件封装:RM 8 LP 高度:5.80mm 长度:23.20mm 宽度:11.00mm 直径:- 标准包装:200 B65811P0000R087 功能描述:FERRITE CORE RM 4.1UH N87 2PCS 制造商:epcos (tdk) 系列:B65811P 零件状态:在售内核类型:RM 电感因数（Al）:4.1μH 容差:-20%，+30% 间隙:无缺口有效磁导率 (μe):1440 初始磁导率（μi）:2200 材料:N87 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.44 有效长度（e） mm:28.7 有效面积（Ae）mm2:64.9 最小磁心横截面（Amin）?mm2:55.4 有效磁体体积（Ve） mm3:1860 表面:无涂层供应商器件封装:RM 8 LP 高度:5.80mm 长度:23.20mm 宽度:11.00mm 直径:- 标准包装:200 B65811P0000R049 功能描述:FERRITE CORE RM 2.9UH N49 2PCS 制造商:epcos (tdk) 系列:B65811P 零件状态:在售内核类型:RM 电感因数（Al）:2.9μH 容差:-20%，+30% 间隙:无缺口有效磁导率 (μe):1020 初始磁导率（μi）:1500 材料:N49 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.44 有效长度（e） mm:28.7 有效面积（Ae）mm2:64.9 最小磁心横截面（Amin）?mm2:55.4 有效磁体体积（Ve） mm3:1860 表面:无涂层供应商器件封装:RM 8 LP 高度:5.80mm 长度:23.20mm 宽度:11.00mm 直径:- 标准包装:200 B65811JY38 功能描述:FERRITE CORE RM 12.5UH T38 制造商:epcos (tdk) 系列:B65811 零件状态:有效内核类型:RM 电感因数（Al）:12.5μH 容差:-30%，+40% 间隙:无缺口有效磁导率 (μe):5910 初始磁导率（μi）:2300 材料:T38 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.59 有效长度（e） mm:38 有效面积（Ae）mm2:64 最小磁心横截面（Amin）?mm2:55 有效磁体体积（Ve） mm3:2430 表面:无涂层供应商器件封装:RM 8 高度:8.25mm 长度:23.20mm 宽度:11.00mm 直径:- 标准包装:200 B65812C2005X B65812N1005D002 B65812N1005D1 B65812N1005D2 B65812N1008D002 B65812N1008D1 B65812N1012D002 B65812N1012D1 B65812N1108D002 B65812P1005D1 B65812P1008D1 B65812P1008D2 B65812P1012D001 B65812P1012D1 B65812P2203X B65812P2203X000 B65812S1108D2 B65813D0400A048