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B65820B1008D
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
20
EPCO
N/A
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公司现货!只做原装!

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B65820B1008D 技术参数

B65820A5000X000 功能描述:INSULATING WASHER RM 7 制造商:epcos (tdk) 系列:B65820 零件状态:在售配件类型:绝缘垫圈配套使用产品/相关产品:RM 供应商器件封装:RM 7 标准包装:2,000 B65820A5000X 功能描述:Supplier Device Package RM 7 制造商:epcos (tdk) 系列:B65820 零件状态:有效配件类型:绝缘垫圈配套使用产品/相关产品:RM 供应商器件封装:RM 7 标准包装:2,000 B65819PR92 功能描述:FERRITE CORE RM 2.6UH N92 制造商:epcos (tdk) 系列:B65819P 零件状态:有效内核类型:RM 电感因数（Al）:2.6μH 容差:-20%，+30% 间隙:无缺口有效磁导率 (μe):1070 初始磁导率（μi）:1500 材料:N92 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.52 有效长度（e） mm:23.5 有效面积（Ae）mm2:45.3 最小磁心横截面（Amin）?mm2:39.6 有效磁体体积（Ve） mm3:1060 表面:无涂层供应商器件封装:RM 7 LP 高度:4.90mm 长度:20.30mm 宽度:- 直径:- 标准包装:250 B65819PR87 功能描述:FERRITE CORE RM 3.3UH N87 制造商:epcos (tdk) 系列:B65819P 零件状态:有效内核类型:RM 电感因数（Al）:3.3μH 容差:-20%，+30% 间隙:无缺口有效磁导率 (μe):1360 初始磁导率（μi）:2200 材料:N87 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.52 有效长度（e） mm:23.5 有效面积（Ae）mm2:45.3 最小磁心横截面（Amin）?mm2:39.6 有效磁体体积（Ve） mm3:1060 表面:无涂层供应商器件封装:RM 7 LP 高度:4.90mm 长度:20.30mm 宽度:- 直径:- 标准包装:250 B65819PR49 功能描述:FERRITE CORE RM 2.4UH N49 制造商:epcos (tdk) 系列:B65819P 零件状态:有效内核类型:RM 电感因数（Al）:2.4μH 容差:-20%，+30% 间隙:无缺口有效磁导率 (μe):990 初始磁导率（μi）:1500 材料:N49 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.52 有效长度（e） mm:23.5 有效面积（Ae）mm2:45.3 最小磁心横截面（Amin）?mm2:39.6 有效磁体体积（Ve） mm3:1060 表面:无涂层供应商器件封装:RM 7 LP 高度:4.90mm 长度:20.30mm 宽度:- 直径:- 标准包装:250 B65822J1008T1 B65839A0000R030 B65839A0000R045 B65839A0000R057 B65839A0000R065 B65839A0000Y066 B65839A0040A033 B65839A0063A038 B65839A0063A057 B65839A0063A087 B65839A0100A045 B65839A0100A057 B65839A0100A087 B65839A0100J030 B65839A0100J087 B65839A0125B038 B65839A0125B057 B65839A0125B087