B65852A1008D1

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功能描述
EMI/RFI 抑制器及铁氧体 COIL FORMER DAP-RX-1366 FR
RoHS
否
制造商
EPCOS
产品
阻抗
容差
最大直流电流
最大直流电阻
工作温度范围
封装 / 箱体
端接类型

B65852A1008D1 技术参数

B65848S2000X 功能描述:Supplier Device Package EP 20 制造商:epcos (tdk) 系列:B65848 零件状态:有效配件类型:安装组件配套使用产品/相关产品:EP 供应商器件封装:EP 20 标准包装:200 B65848D1010D1 功能描述:Supplier Device Package EP 20 制造商:epcos (tdk) 系列:B65848 零件状态:有效配件类型:线轴（线圈架），水平配套使用产品/相关产品:EP 供应商器件封装:EP 20 标准包装:200 B65847AY38 功能描述:FERRITE CORE EP 18.7UH T38 制造商:epcos (tdk) 系列:B65847 零件状态:有效内核类型:EP 电感因数（Al）:18.7μH 容差:-30%，+40% 间隙:无缺口有效磁导率 (μe):7630 初始磁导率（μi）:2300 材料:T38 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.51 有效长度（e） mm:40 有效面积（Ae）mm2:78 最小磁心横截面（Amin）?mm2:60 有效磁体体积（Ve） mm3:3120 表面:无涂层供应商器件封装:EP 20 高度:10.80mm 长度:24.50mm 宽度:15.30mm 直径:- 标准包装:200 B65847AR87 功能描述:FERRITE CORE EP 4UH N87 制造商:epcos (tdk) 系列:B65847 零件状态:有效内核类型:EP 电感因数（Al）:4μH 容差:-20%，+30% 间隙:无缺口有效磁导率 (μe):1630 初始磁导率（μi）:2200 材料:N87 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.51 有效长度（e） mm:40 有效面积（Ae）mm2:78 最小磁心横截面（Amin）?mm2:60 有效磁体体积（Ve） mm3:3120 表面:无涂层供应商器件封装:EP 20 高度:10.80mm 长度:24.50mm 宽度:15.30mm 直径:- 标准包装:200 B65847AR30 功能描述:FERRITE CORE EP 6.7UH T65 制造商:epcos (tdk) 系列:B65847 零件状态:有效内核类型:EP 电感因数（Al）:6.7μH 容差:-20%，+30% 间隙:无缺口有效磁导率 (μe):2730 初始磁导率（μi）:5200 材料:N30 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.51 有效长度（e） mm:40 有效面积（Ae）mm2:78 最小磁心横截面（Amin）?mm2:60 有效磁体体积（Ve） mm3:3120 表面:无涂层供应商器件封装:EP 20 高度:10.80mm 长度:24.50mm 宽度:15.30mm 直径:- 标准包装:200 B65855AR92 B65855AY38 B65855B0000R057 B65855B0000R092 B65855B0000Y038 B65855BR57 B65855BR92 B65855BY38 B65857A0000R045 B65857A0000R057 B65857A0000R087 B65857A0000Y038 B65857A0000Y066 B65857A0040A038 B65857A0250J038 B65857A0400E038 B65857A250J38 B65857A400E38