B82143B1152K000

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B82143B1152K000 技术参数

B82143B1103K 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 1.1A 250 mOhm Max Radial 制造商:epcos (tdk) 系列:HBC 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:10μH 容差:±10% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:250 毫欧最大不同频率时的 Q 值:40 @ 7.96MHz 频率 - 自谐振:21MHz 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100kHz 安装类型:通孔封装/外壳:径向大小/尺寸:0.157" 直径（4.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.571"（14.50mm）标准包装:2,000 B82143B1102K 功能描述:1μH Unshielded Wirewound Inductor 2A 80 mOhm Max Radial 制造商:epcos (tdk) 系列:HBC 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:1μH 容差:±10% 额定电流:2A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:80 毫欧最大不同频率时的 Q 值:50 @ 7.96MHz 频率 - 自谐振:195MHz 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100kHz 安装类型:通孔封装/外壳:径向大小/尺寸:0.157" 直径（4.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.571"（14.50mm）标准包装:2,000 B82143A1822J 功能描述:8.2μH Unshielded Wirewound Inductor 1.15A 240 mOhm Max Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:HBC 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:8.2μH 容差:±5% 额定电流:1.15A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:240 毫欧最大不同频率时的 Q 值:40 @ 7.96MHz 频率 - 自谐振:25MHz 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100kHz 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.157" 直径 x 0.362" 长（4.00mm x 9.20mm）高度 - 安装（最大值）:- 标准包装:5,000 B82143A1682K 功能描述:6.8μH Unshielded Wirewound Inductor 1.2A 220 mOhm Max Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:HBC 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:6.8μH 容差:±10% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:220 毫欧最大不同频率时的 Q 值:40 @ 7.96MHz 频率 - 自谐振:35MHz 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100kHz 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.157" 直径 x 0.362" 长（4.00mm x 9.20mm）高度 - 安装（最大值）:- 标准包装:5,000 B82143A1472K 功能描述:4.7μH Unshielded Wirewound Inductor 1.3A 170 mOhm Max Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:HBC 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±10% 额定电流:1.3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:170 毫欧最大不同频率时的 Q 值:50 @ 7.96MHz 频率 - 自谐振:60MHz 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100kHz 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.157" 直径 x 0.362" 长（4.00mm x 9.20mm）高度 - 安装（最大值）:- 标准包装:5,000 B82144A2103K B82144A2103K008 B82144A2103K009 B82144A2103K8 B82144A2103K9 B82144A2104J B82144A2104J009 B82144A2104J9 B82144A2105J B82144A2105J009 B82144A2105J9 B82144A2106J B82144A2107J B82144A2145A500 B82144A2153K B82144A2153K000 B82144A2154J B82144A2154J000