B82462G4472M000

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B82462G4472M000
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：中国上海
3
EPCOS
NA
23+
-
查现货！就到京北通宇商城

B82462G4472M000
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
150
EPCOS
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

B82462G4472M000
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
20356
EPCOS/爱普科斯
SMD
2022+
-
全新原装现货支持BOM表配单

B82462G4472M000
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
3
EPCOS
con
23+
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

B82462G4472M000
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
EPCOS
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

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制造商
TDK-EPC
功能描述
INDUCTOR 4.7UH 2A 20% FULL
制造商
TDK-EPC
功能描述
INDUCTOR, 4.7UH, 2A, 20%, FULL REEL; Inductance

B82462G4472M000 技术参数

B82462G4472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 2A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:2A 电流 - 饱和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:40 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.118"（3.00mm）标准包装:1 B82462G4334M 功能描述:330μH Shielded Wirewound Inductor 270mA 2.3 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:330μH 容差:±20% 额定电流:270mA 电流 - 饱和值:220mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:2.3 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.118"（3.00mm）标准包装:1 B82462G4333M 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 230 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:33μH 容差:±20% 额定电流:850mA 电流 - 饱和值:720mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:230 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.118"（3.00mm）标准包装:1 B82462G4332M 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 31 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:2.3A 电流 - 饱和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:31 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.118"（3.00mm）标准包装:1 B82462G4224M 功能描述:220μH Shielded Wirewound Inductor 350mA 1.35 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:220μH 容差:±20% 额定电流:350mA 电流 - 饱和值:280mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:1.35 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.118"（3.00mm）标准包装:1 B82462X4 B82464A2102M B82464A2103M B82464A2104K B82464A2152M B82464A2153K B82464A2154K B82464A2222M B82464A2223K B82464A2224K B82464A2332M B82464A2333K B82464A2334K B82464A2362M B82464A2472M B82464A2473K B82464A2682M B82464A2683K