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B82464G4821M

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • B82464G4821M
    B82464G4821M

    B82464G4821M

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 1500

  • EPCOS

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • B82464G4821M000
    B82464G4821M000

    B82464G4821M000

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 20356

  • EPCOS/爱普科斯

  • SMD

  • 2022+

  • -
  • 全新原装现货 支持BOM表配单

  • B82464G4821M
    B82464G4821M

    B82464G4821M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • B82464G4821M000
    B82464G4821M000

    B82464G4821M000

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • EPCOS

  • SMD

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号.原装正品现货!

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B82464G4821M PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 820nH Shielded Wirewound Inductor 7.6A 7 mOhm Max Nonstandard
  • 制造商
  • epcos (tdk)
  • 系列
  • B82464G4
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 有效
  • 类型
  • 绕线
  • 材料 - 磁芯
  • 铁氧体
  • 电感
  • 820nH
  • 容差
  • ±20%
  • 额定电流
  • 7.6A
  • 电流 - 饱和值
  • 10.3A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 电阻(DCR)
  • 7 毫欧最大
  • 不同频率时的 Q 值
  • -
  • 频率 - 自谐振
  • -
  • 等级
  • AEC-Q200
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C
  • 频率 - 测试
  • 100kHz
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 非标准
  • 大小/尺寸
  • 0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm)
  • 高度 - 安装(最大值)
  • 0.118"(3.00mm)
  • 标准包装
  • 750
B82464G4821M 技术参数
  • B82464G4684M 功能描述:680μH Shielded Wirewound Inductor 420mA 1.3 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:680μH 容差:±20% 额定电流:420mA 电流 - 饱和值:460mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):1.3 欧姆最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:2MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.189"(4.80mm) 标准包装:1 B82464G4683M 功能描述:68μH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:68μH 容差:±20% 额定电流:1.3A 电流 - 饱和值:1.45A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):130 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:8MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.189"(4.80mm) 标准包装:1 B82464G4682M 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 4.3A 20 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:4.3A 电流 - 饱和值:4.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):20 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:28MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.189"(4.80mm) 标准包装:1 B82464G4474M 功能描述:470μH Shielded Wirewound Inductor 500mA 930 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:470μH 容差:±20% 额定电流:500mA 电流 - 饱和值:550mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):930 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:2.6MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.189"(4.80mm) 标准包装:1 B82464G4473M 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 1.55A 95 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:47μH 容差:±20% 额定电流:1.55A 电流 - 饱和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):95 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:9MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.189"(4.80mm) 标准包装:1 B82464P4154M000 B82464P4223M B82464P4224M B82464P4224M000 B82464P4332M B82464P4332M000 B82464P4333M B82464P4334M B82464P4334M000 B82464P4472M B82464P4472M000 B82464P4473M B82464P4474M B82464P4682M B82464P4682M000 B82464P4683M B82464P4683M000 B82464P4684M
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