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B82470A1103M

配单专家企业名单
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  • B82470A1103M
    B82470A1103M

    B82470A1103M

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 11000

  • EPCOS

  • 9

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • B82470A1103M
    B82470A1103M

    B82470A1103M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 6000

  • EPCOS (TDK)

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百正品

  • 1/1页 40条/页 共7条 
  • 1
B82470A1103M PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 固定电感器 10uH 100KHz 750mA 20%
  • RoHS
  • 制造商
  • AVX
  • 电感
  • 10 uH
  • 容差
  • 20 %
  • 最大直流电流
  • 1 A
  • 最大直流电阻
  • 0.075 Ohms
  • 工作温度范围
  • - 40 C to + 85 C
  • 自谐振频率
  • 38 MHz
  • Q 最小值
  • 40
  • 尺寸
  • 4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H
  • 屏蔽
  • Shielded
  • 端接类型
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • 6.6 mm x 4.45 mm
B82470A1103M 技术参数
  • B82470A1102M 功能描述:1μH Unshielded Wirewound Inductor 1.8A 45 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82470-A1-M 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:1.8A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):45 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.189" 长 x 0.189" 宽(4.80mm x 4.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 B82469G1911M 功能描述:910nH Shielded Wirewound Inductor 2A 33 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82469G1 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:910nH 容差:±20% 额定电流:2A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):33 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.150" 长 x 0.142" 宽(3.80mm x 3.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 B82469G1682M 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 900mA 170 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82469G1 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:900mA 电流 - 饱和值:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):170 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.150" 长 x 0.142" 宽(3.80mm x 3.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 B82469G1472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 130 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82469G1 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):130 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.150" 长 x 0.142" 宽(3.80mm x 3.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 B82469G1391M 功能描述:390nH Shielded Wirewound Inductor 2.8A 16 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82469G1 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:390nH 容差:±20% 额定电流:2.8A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):16 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.150" 长 x 0.142" 宽(3.80mm x 3.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 B82471A1103M B82471A1104K B82471A1104K000 B82471A1153M B82471A1153M000 B82471A1154K B82471A1154K000 B82471A1223M B82471A1224K B82471A1224K000 B82471A1333M B82471A1333M000 B82471A1473M B82471A1683K B82471A1683K000 B82472G4102M B82472G4103M B82472G4104M
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