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B82472-G6223-M

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B82472-G6223-M 技术参数

B82472G6223M 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 1.45A 91 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82472G6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:22μH 容差:±20% 额定电流:1.45A 电流 - 饱和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:91 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.287" 长 x 0.287" 宽（7.30mm x 7.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.138"（3.50mm）标准包装:1 B82472G6222M 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 3A 20 mOhm Max 制造商:epcos (tdk) 系列:B82472G6 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:3A 电流 - 饱和值:2.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:20 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 B82472G6154M 功能描述:150μH Shielded Wirewound Inductor 530mA 580 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82472G6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:150μH 容差:±20% 额定电流:530mA 电流 - 饱和值:430mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:580 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.287" 长 x 0.287" 宽（7.30mm x 7.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.138"（3.50mm）标准包装:1 B82472G6153M 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 1.53A 80 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82472G6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:15μH 容差:±20% 额定电流:1.53A 电流 - 饱和值:1.35A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:80 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.287" 长 x 0.287" 宽（7.30mm x 7.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.138"（3.50mm）标准包装:1 B82472G6152M000 功能描述:FIXED IND 1.5UH 3.4A 17 MOHM SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:B82472G6 包装:带卷（TR）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:3.4A 电流 - 饱和值:3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:17 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准供应商器件封装:- 大小/尺寸:0.287" 长 x 0.287" 宽（7.30mm x 7.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.138"（3.50mm）标准包装:1,000 B82472G6682M000 B82472G6683M B82472G6683M000 B82472G6684M B82472G6684M000 B82472G6824M B82472G6824M000 B82472P6102M B82472P6102M000 B82472P6103M B82472P6104M B82472P6105M B82472P6152M B82472P6152M000 B82472P6153M B82472P6153M000 B82472P6154M B82472P6154M000