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B82477G4652M

配单专家企业名单
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  • B82477G4652M
    B82477G4652M

    B82477G4652M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
B82477G4652M PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 5.6μH Shielded Wirewound Inductor 6.7A 14.2 mOhm Max Nonstandard
  • 制造商
  • epcos (tdk)
  • 系列
  • B82477G4
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 有效
  • 类型
  • 绕线
  • 材料 - 磁芯
  • 铁氧体
  • 电感
  • 5.6μH
  • 容差
  • ±20%
  • 额定电流
  • 6.7A
  • 电流 - 饱和值
  • 8.4A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 电阻(DCR)
  • 14.2 毫欧最大
  • 不同频率时的 Q 值
  • -
  • 频率 - 自谐振
  • -
  • 等级
  • -
  • 工作温度
  • -55°C ~ 125°C
  • 频率 - 测试
  • 100kHz
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 非标准
  • 大小/尺寸
  • 0.484" 长 x 0.484" 宽(12.30mm x 12.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)
  • 0.236"(6.00mm)
  • 标准包装
  • 800
B82477G4652M 技术参数
  • B82477G4562M 功能描述:5.6μH Shielded Wirewound Inductor 6.7A 14.2 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:5.6μH 容差:±20% 额定电流:6.7A 电流 - 饱和值:8.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):14.2 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.484" 长 x 0.484" 宽(12.30mm x 12.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.236"(6.00mm) 标准包装:1 B82477G4474M 功能描述:470μH Shielded Wirewound Inductor 800mA 790 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:470μH 容差:±20% 额定电流:800mA 电流 - 饱和值:950mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):790 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.484" 长 x 0.484" 宽(12.30mm x 12.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.236"(6.00mm) 标准包装:1 B82477G4473M 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 82 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:47μH 容差:±20% 额定电流:2.5A 电流 - 饱和值:3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):82 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.504" 长 x 0.504" 宽(12.80mm x 12.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.315"(8.00mm) 标准包装:1 B82477G4472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 6.8A 14 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:6.8A 电流 - 饱和值:8.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):14 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.504" 长 x 0.504" 宽(12.80mm x 12.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.315"(8.00mm) 标准包装:1 B82477G4392M 功能描述:3.9μH Shielded Wirewound Inductor 7.5A 12.5 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:3.9μH 容差:±20% 额定电流:7.5A 电流 - 饱和值:9.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):12.5 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.484" 长 x 0.484" 宽(12.30mm x 12.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.236"(6.00mm) 标准包装:1 B82477P2103M000 B82477P2104M B82477P2104M000 B82477P2105M B82477P2105M000 B82477P2152M B82477P2152M000 B82477P2153M B82477P2153M000 B82477P2154M B82477P2154M000 B82477P2222M B82477P2222M000 B82477P2223M B82477P2223M000 B82477P2224M B82477P2224M000 B82477P2332M
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