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BAP65-03+115

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BAP65-03+115
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
NXP/恩智浦
SOD323
22+
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每一片都来自原厂，正品保证

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BAP65-03+115 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BAP65-03+115 技术参数

BAP65-03,115 功能描述:DIODE PIN 30V 100MA SOD-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:500mW 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标准包装:1 BAP65-02,135 功能描述:RF Diode PIN - Single 30V 100mA 715mW SOD-523 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:715mW 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标准包装:10,000 BAP65-02,115 功能描述:DIODE PIN 30V 100MA SOD-523 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:715mW 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标准包装:1 BAP64Q,125 功能描述:DIODE PIN 5TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:PIN - 2 对 CA + CC 电压 - 峰值反向（最大值）:100V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:125mW 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:5-TSOP 标准包装:1 BAP64LX,315 功能描述:RF Diode PIN - Single 60V 100mA 150mW SOD2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:60V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:150mW 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:SOD2 标准包装:10,000 BAP70Q,125 BAQ133-GS08 BAQ133-GS18 BAQ134-GS08 BAQ134-GS18 BAQ135-GS08 BAQ135-GS18 BAQ333-TR BAQ333-TR3 BAQ334-TR BAQ334-TR3 BAQ335-TR BAQ335-TR3 BAQ33-GS08 BAQ33-GS18 BAQ34-GS08 BAQ34-GS18 BAQ35-GS08