BAP6910Z02

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BAP6910Z02
深圳市一线半导体有限公司
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电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9800
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BAP6910Z02 技术参数

BAP65LX,315 功能描述:DIODE SILICON PIN SOD-882T 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.37pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:135mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:SOD2 基本零件编号:BAP65 标准包装:1 BAP65-05W,115 功能描述:DIODE PIN 30V 100MA SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产二极管类型:PIN - 1 对共阴极电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.425pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:240mW 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BAP65-05,215 功能描述:RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 30V 100mA 250mW SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 1 对共阴极电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.425pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:3,000 BAP65-03,115 功能描述:DIODE PIN 30V 100MA SOD-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:500mW 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标准包装:1 BAP65-02,135 功能描述:RF Diode PIN - Single 30V 100mA 715mW SOD-523 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:715mW 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标准包装:10,000 BAQ134-GS08 BAQ134-GS18 BAQ135-GS08 BAQ135-GS18 BAQ333-TR BAQ333-TR3 BAQ334-TR BAQ334-TR3 BAQ335-TR BAQ335-TR3 BAQ33-GS08 BAQ33-GS18 BAQ34-GS08 BAQ34-GS18 BAQ35-GS08 BAQ35-GS18 BAR 14-1 E6327 BAR 15-1 E6327