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BAS 125-06W E6327

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  • BAS 125-06W E6327
    BAS 125-06W E6327

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  • 深圳市众芯微电子有限公司
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    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

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  • PG-SOT323-3

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  • 功能描述
  • 肖特基二极管与整流器 Silicon Schottky Diodes
  • RoHS
  • 制造商
  • Skyworks Solutions, Inc.
  • 产品
  • Schottky Diodes
  • 峰值反向电压
  • 2 V
  • 正向连续电流
  • 50 mA
  • 最大浪涌电流
  • 配置
  • Crossover Quad
  • 恢复时间
  • 正向电压下降
  • 370 mV
  • 最大反向漏泄电流
  • 最大功率耗散
  • 75 mW
  • 工作温度范围
  • - 65 C to + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • SOT-143
  • 封装
  • Reel
BAS 125-06W E6327 技术参数
  • BARO-A-4V-REF-PRIME 功能描述:Pressure Sensor 8.7 PSI ~ 15.95 PSI (60 kPa ~ 110 kPa) Absolute Male - 0.19" (4.83mm) Tube, Dual 0 V ~ 4.25 V 4-SIP 制造商:all sensors corporation 系列:- 零件状态:过期 压力类型:绝对 工作压力:8.7 PSI ~ 15.95 PSI(60 kPa ~ 110 kPa) 输出类型:模拟电压 输出:0 V ~ 4.25 V 精度:±2% 电压 - 电源:5.5 V ~ 16 V 端口尺寸:公型 - 0.19"(4.83mm) 双管 端口样式:无倒钩 特性:温度补偿 端子类型:* 最高压力:60 PSI(413.69 kPa) 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:4-SIP 供应商器件封装:- 标准包装:1 BAR90098LRHE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - 2 Independent 80V 100mA 250mW PG-TSLP-4 (1.2x0.8) 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:PIN - 2 个独立 电压 - 峰值反向(最大值):80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F 时的电容:0.35pF @ 1V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:4-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSLP-4(1.2x0.8) 标准包装:15,000 BAR9002LSE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 150mW PG-TSSLP-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大值):80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F 时的电容:0.35pF @ 1V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):150mW 封装/外壳:2-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSSLP-2 标准包装:1 BAR9002LRHE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 250mW PG-TSLP-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大值):80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F 时的电容:0.35pF @ 1V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:PG-TSLP-2 标准包装:1 BAR9002ELSE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 250mW PG-TSSLP-2-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大值):80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F 时的电容:0.35pF @ 1V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:2-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSSLP-2-3 标准包装:15,000 BAS 3010S-02LRH E6327 BAS 3020B E6327 BAS 40 B5003 BAS 40 E6327 BAS 4002A RPP E6327 BAS 40-04 B5003 BAS 40-04 E6327 BAS 40-05 B5003 BAS 40-05 E6327 BAS 40-06 B5003 BAS 40-07 B6327 BAS 52-02V E6327 BAS 52-02V E6433 BAS 52-02V H6327 BAS 70 B5003 BAS 70 E6327 BAS 70-02W E6327 BAS 70-04 B5003
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