BAS21HMFHT116

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说明
操作

BAS21HMFHT116
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：连小姐 18126238167
电话：0755-82795565
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
50000
ROHM/罗姆
SOT23
26+
-
原装原厂正品现货

BAS21HMFHT116
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
6500
ROHM/罗姆
SOT23
25+
-
全新原装正品现货，全网好价

BAS21HMFHT116
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
85
ROHM
con
24+
-
二极管

BAS21HMFHT116
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
85
ROHM
con
24+
-
二极管

BAS21HMFHT116
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
9000
ROHM
SSD3 (SOT-23-3)
18+
-
原装现货，假一赔百,支持实单

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功能描述
AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
制造商
rohm semiconductor
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
在售
二极管类型
标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
200V
电流 - 平均整流（Io）
200mA（DC）
不同 If 时的电压 - 正向（Vf
1.25V @ 200mA
速度
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）
50ns
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
100nA @ 200V
不同?Vr，F 时的电容
2.5pF @ 0V，1MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
SSD3
工作温度 - 结
150°C（最大）
标准包装
1

BAS21HMFHT116 技术参数

BAS21-HE3-18 功能描述:Diode Standard 200V 200mA Surface Mount SOT-23 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000 BAS21-HE3-08 功能描述:Diode Standard 200V 200mA Surface Mount SOT-23 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 BAS21H,115 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:BAS21H 标准包装:1 BAS21GWX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 225MA SOD123 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:225mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 BAS21GWJ 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 225MA SOD123 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:225mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 BAS21LT3G BAS21M3T5G BAS21PGX BAS21S RFG BAS21SLT1 BAS21SLT1G BAS21S-TP BAS21SW,115 BAS21T-7 BAS21T-7-F BAS21TA BAS21TM-7 BAS21TMQ-13 BAS21TMR6T1G BAS21-TP BAS21TR BAS21T-TP BAS21TW-7